ГАЛЛИЯ ГАЛОГЕНИДЫ. Физ. свойства нек-рых Гг. приведены в таблице. Трихлорид GаС13-бесцв. кристаллы с триклинной решеткой [а — 0,694 нм, b = 0,684 нм, с = 0,682нм,https://www.pora.ru/image/encyclopedia/9/4/3/4943.jpeg 119,5°, р 90,8°,https://www.pora.ru/image/encyclopedia/9/4/4/4944.jpeg 118,8°, z=l (Ga2Cl6), пространств. группа PI]. Молекулы димерны. Хорошо раств. в воде; из солянокислых р-ров экстрагируется в виде HGaCl4 эфиром, бутилацетатом, трибутилфосфатом и др. орг. р-рителями; образует моногидрат (т. пл. 44,4°С); гигроскопичен. Является сильной к-той Льюиса. Получают GaCl3 хлорированием Ga при 80-200°С с послед. перегонкой, ректификацией, а также зонной плавкой. Применяют его для получения Ga высокой чистоты и синтеза др. соединений Ga, а также как катализатор полимеризации; наполнитель нейтринных ловушек.

СВОЙСТВА ГАЛОГЕНИДОВ ГАЛЛИЯ
https://www.pora.ru/image/encyclopedia/9/4/5/4945.jpeg

* Т-ра иhttps://www.pora.ru/image/encyclopedia/9/4/6/4946.jpeg возгонки. ** Плотность жидкого 2,0536 г/см3.

Трифторид GаР3-бесцв. кристаллы; не раств. в воде; образует тригидрат (р-римость в Н2О 4,1% по массе при 25 °С). Не взаимод. с разб. минеральными к-тами, разлагается р-рами щелочей. На воздухе выше 200 °С образует GaOF, затем Ga2O3. Получают фторированием Ga, Ga2O3 или др. соединений Ga.

Трибромид GaBr3 - белые кристаллы, трииодид GaI3-желтые; по св-вам подобны GaCl3. Получают действием паров соответствующего галогена на нагретый Ga.

Моногалогениды GaHal образуются при взаимод. паров GaHal3 с Ga; при конденсации GaF и GaCl диспропорционируют на Ga и соотв. GaF3 и GaCl3. Для GaBr т. пл. 158°С (с разл.), для Gal 270 °С (с разл.)

Дигалогениды [тетрагалогеногаллаты(III) галлия(1)] Ga2Hal4, или GaI[GaIII Hal4], образуются при взаимод. Ga с GaHal3 (Hal = Cl, Br, I). Дихлорид Ga2Cl4-белые кристаллы; т. пл. 175 °С, т. кип. 595 °С; плотн. 2,4173 г/см3; р 2,22Ом*см (20 °С); диамагнитен. Для дибромида Ga2Br4 т. пл. 166°С, т. кип. 462°С. Для дииодида Ga2I4 т. пл. 211 °C, т. кип. 469 °С

Известны также Ga3Br7 (т. разл. 81 °С) и Ga3Cl7 (т. пл. 87 °С), имеющие строение GaI[Ga2IIIHaI7], и Ga4Hal6, или Ga2I[Ga2IIIHal6] (Hal = Cl, Br).

Лит. см. при ст. Галлий. П. И. Федоров.