ПОЛЯ ЛИГАНДОВ ТЕОРИЯ, 
  квантовохим. теория электронного строения координац. соединений. Описывает 
  взаимодействие центр. атома (или группы атомов) и лигандов на основе представлений 
  о мол. орбиталях в рамках молекулярных орбиталей методов. Как и в кристаллического 
  поля теории, в П. л. т. принимается, что состояние электронов центр. атома 
  определяется электростатич. полем, созданным лигандами, однако учитывается также 
  изменение электронного распределения лигандов под воздействием центр. атома. 
  Соотв. расширяются и задачи, решаемые методами П. л. т.: помимо описания строения, 
  реакц. способности, расчета спектральных и термодинамич. характеристик координац. 
  соединений и изменений их св-в при замене центр, атома или, лигандов, становится 
  возможным теоретич. анализ таких ситуаций, когда взаимодействие центр. атома 
  и лигандов настолько существенно, что может привести, напр., к образованию прочных 
  хим. связей. Так, П. л. т. позволяет, в частности, описать смещения электронной 
  плотности s- и p-электронных подсистем в группах СО карбонильных комплексов 
  металлов.
  
 Согласно П. л. т., изменение 
  электронного распределений в комплексном соед. по сравнению со свободными (изолированными) 
  центр. атомом и лигандами наиб. существенно для валентной оболочки центр. атома, 
  высших заполненных и низших незаполненных (виртуальных) орбиталей лигандов; 
  именно из этих орбиталей конструируются мол. орби-тали комплекса в целом. Остальные 
  орбитали центр. атома и лигандов считаются неизменными. Эксперим. результаты, 
  получаемые методами фотоэлектронной и рентгеновской спектроскопии, а также расчеты 
  с помощью неэмпирических методов квантовой химии свидетельствуют о том, 
  что потенциалы ионизации с внутр. орбиталей комплексов и электронные распределения 
  зависят от природы лигандов. Однако при описании электронного строения валентной 
  оболочки комплекса этой зависимостью можно пренебречь. П. л. т. наиб. плодотворна 
  для анализа комплексных соед., образованных d- и f-элементами, 
  в частности переходными металлами, для к-рых характерна близость расположения 
  атомных уровней типа 3d, 4s и 4р.
  
 Расположение энергетич. 
  уровней комплекса и его орбитали можно определить непосредственно одним из методов 
  мол. орбиталей (наиб. надежные результаты получают при применении метода самосогласованного 
  поля ССП-Хa) либо рассчитать приближенно, напр. в предположении, 
  что изменение взаимодействия орбиталей центр. атома и лигандов в зависимости 
  от геом. расположения лигандов м. б. описано с использованием лишь угловой части 
  интегралов перекрывания (см. Молекулярные интегралы). Радиальная часть 
  интегралов перекрывания более чувствительна к расстояниям между центр. атомом 
  и лигандами, поэтому изменение радиальной части обычно связывают с нек-рыми 
  эффективными параметрами, характеризующими степень ковалентности связи. На рис. 
  показана рассчитанная схема расположения энергетич. уровней октаэдрич. комплекса 
  XY6, образованного d-элементом; возле каждого уровня указан 
  тип симметрии орбиталей. Для обозначенных уровней t2u, 
  t1g, t1u (жирные линии) 
  корреляция p-орбита-лей лигандов и орбиталей центр. атома мала. Приведенная 
  картина типична и напоминает в осн. чертах систему уровней, получаемую на основе 
  теории кристаллич. поля.
  
 
  
 Схема энергетич. уровней 
  октаэдрич. комплекса XY6. Пунктирные линии обозначают корреляцию 
  орбиталей центр. атома X с s- и p-орбиталями лигандов Y. При уровнях 
  энергии указан тип симметрии орбиталей; звездочкой отмечены разрыхляющие орбитали.
  
 С помощью указанной схемы 
  энергетич. уровней можно, напр., описать низшие электронные состояния комплекса 
  TiCl63- , если учитывать лишь валентные орбитали атома 
  Ti (4 валентных электрона), а для каждого из атомов С1-по одной s-орбитали 
  и по две p-орбитали (5 валентных 2p-электронов для каждого атома). 
  Все 37 электронов располагают в соответствии с принципом Паули на одноэлект-ронных 
  уровнях так, чтобы энергия системы была минимальной. Как и в теории кристаллич. 
  поля, различают случаи сильного, слабого и среднего поля, сравнивая интенсивность 
  поля лигандов с энергией межэлектронного отталкивания. Для анализируемого комплекса имеет 
  место случай сильного поля. Если учесть вырождение энергетич. уровней (для уровней 
  типа a1g кратность вырождения равна 1, типа 
  еg-2, типов t1g, t1u, 
  t2g и t2u-3), основное 
  состояние этого комплекса можно описать электронной конфигурацией
имеет 
  место случай сильного поля. Если учесть вырождение энергетич. уровней (для уровней 
  типа a1g кратность вырождения равна 1, типа 
  еg-2, типов t1g, t1u, 
  t2g и t2u-3), основное 
  состояние этого комплекса можно описать электронной конфигурацией  . 
  Для комплекса в целом эта электронная конфигурация определяет состояние типа 
  2Т2g, т.к. полностью заполненные оболочки 
  не дают вклада в мультиплетность и симметрию состояния.
. 
  Для комплекса в целом эта электронная конфигурация определяет состояние типа 
  2Т2g, т.к. полностью заполненные оболочки 
  не дают вклада в мультиплетность и симметрию состояния.
  
 В рассмотренном примере 
  ион С1 можно представить условно точечным зарядом, определяющим поле, в к-ром 
  движется единств. электрон иона Ti3+ , поэтому результаты, полученные 
  на основе П. л. т. и теории кристаллич. поля, качественно совпадают. Однако 
  количеств. оценки, напр. для потенциалов ионизации, рассчитанных на основе Куп-манса 
  теоремы, или для энергии электронных переходов  в низшее возбужденное состояние комплекса, существенно различаются. В хелатных, 
  "сэндвичевых" соед., координационных соед. с p-связями лиганды 
  - металл и во мн. др. комплексах с легко поляризуемыми лигандами электронное 
  состояние лигандов и центр. атома нельзя определять как обусловленное воздействием 
  поля системы точечных зарядов. В таких случаях применима лишь П. л. т., но не 
  теория кристаллич. поля. То же относится к проблемам исследования перераспределения 
  спиновой плотности методами ЭПР и анализа взаимодействия электронных и колебат. 
  движений в молекуле (см. Яна-Теллера эффект). П. л. т. позволяет 
  объяснить транс-эффект при замещении лигандов, взаимное влияние лигандов 
  на реакц. способность комплекса и т.п.
 
  в низшее возбужденное состояние комплекса, существенно различаются. В хелатных, 
  "сэндвичевых" соед., координационных соед. с p-связями лиганды 
  - металл и во мн. др. комплексах с легко поляризуемыми лигандами электронное 
  состояние лигандов и центр. атома нельзя определять как обусловленное воздействием 
  поля системы точечных зарядов. В таких случаях применима лишь П. л. т., но не 
  теория кристаллич. поля. То же относится к проблемам исследования перераспределения 
  спиновой плотности методами ЭПР и анализа взаимодействия электронных и колебат. 
  движений в молекуле (см. Яна-Теллера эффект). П. л. т. позволяет 
  объяснить транс-эффект при замещении лигандов, взаимное влияние лигандов 
  на реакц. способность комплекса и т.п.
  
 Ограничения П. л. т. относятся 
  прежде всего к анализу возбужденных состояний комплексов (особенно в случае 
  средних и слабых полей лигандов). В этих случаях для получения надежных данных 
  о распределении электронов в комплексах следует учитывать не только расположение 
  и порядок одноэлектронных уровней энергии, но и корреляц. эффекты, обусловленные 
  межэлектронным отталкиванием. При анализе комплексов, образованных тяжелыми 
  металлами, необходим учет спин-орбитального взаимодействия и нек-рых 
  др. эффектов.
  
 Лит.: Бальхаузен 
  К., Введение в теорию поля лигандов, пер. с нем., М., 1964; Берсукер И. Б., 
  Электронное строение и свойства координационных соединений, 
  2 изд., Л., 1976; Современные проблемы квантовой химии. Строение и свойства 
  молекул, Л., 1986; Левин А. А., ДьячковП. Н., Электронное строение, структура 
  и превращения гетеролигандных молекул, М., 1990; Степанов Н. Ф., Пупышев В. 
  И., Квантовая механика молекул и квантовая химия, М., 1991. В. И. Пупышев.
  
 
		                 
		                